SI1902CDL-T1-GE3 دیتاشیت

SI1902CDL-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI1902CDL-T1-GE3
حجم فایل 90.578 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

دانلود دیتاشیت SI1902CDL-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

SI1902CDL-T1-GE3 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI1902CDL-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 420mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 62pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 235mΩ@4.5V,1A
  • Package: SC-70-6
  • Manufacturer: Vishay Intertech
  • Part id: 1385885

محصولات مشابه